买卖IC网 >> 产品目录 >> NE6500379A-EVPW26 射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE6500379A-EVPW26

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G
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制造商 CEL
技术类型 MESFET
频率 1.9 GHz
增益 10 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 15 V
闸/源击穿电压 - 7 V
漏极连续电流 4.5 A
最大工作温度 + 150 C
功率耗散 21 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 79A
相关资料
属性
链接
代理商 NE6500379A-EVPW26
NE6500379A-T1
NE6500496
NE650103M
NE650103M-A
NE6501077
供应商
公司名
电话
深圳市煌盛达科技有限公司 13823538694 王小姐
深圳市九黎科技有限公司 18171547226 郑成静
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市时兴宇电子有限公司 0755-83041559 彭先生
深圳市新龙顺电子有限公司 15014137853 连若群
  • NE6500379A-EVPW26 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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